Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.

Für eine typische Probe von GaN betragen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient bei 632,8 nm 2.37966 und 0. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollständigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, können Sie unsere proprietäre Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

Referenz für BrechungsindexOptical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

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