使用Candela^®提升应用于功率器件、射频器件和MicroLED的GaN晶圆缺陷良品率

生长在硅、碳化硅和蓝宝石等衬底上的氮化镓异质外延层，由于衬底与外延层之间的晶格失配以及复杂的外延生长过程，往往会产生很多的缺陷。本次网络研讨会将深入介绍氮化镓外延晶圆上的关键缺陷及其对器件性能的影响，以及Candela^®技术如何通过检测这些关键的亚微米缺陷来提高氮化镓晶片成品率的解决方案。