量测

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KLA 的量测系统满足了一系列芯片和基片晶圆制造应用所需,包括设计可制造性验证、新工艺表征以及批量制造工艺的监控。通过精确测量图案尺寸、薄膜厚度、层间对齐、图案位置、表面形貌和电光特性,我们全面的量测系统帮助芯片制造商严格控制其工艺,从而提高器件性能和良率。

MRAM

即时开启 无数据丢失 电池寿命更长

MRAM作为极具应用前景的存储技术,了解更多配合其制程的量测解决方案。

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Archer™

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Archer™

套刻量测系统

Archer™750套刻量测系统提供对产品套刻误差的准确反馈,能实现快速的技术升级,稳定生产先进的存储器和逻辑器件产品。在制造工艺不断变化的情况下,具有10nm分辨率的波长可调性提供了准确而强大的套刻误差测量。量产应用常见于散射量测的系统, Archer 750成像技术套刻系统支持更高采样率对光刻机的高阶校正,同时提供高产量便于进行在线监测。先进的算法和新颖的rAIM™套刻目标设计可改善目标与器件套刻误差之间的相关性,从而帮助光刻人员准确跟踪器件套刻的状况。

应用
产品在线套刻控制,在线监控,光刻机认证,图案控制
相关产品

Archer 700:基于成像技术的套刻量测系统,具备可调节光源,可对≤7nm逻辑和高级存储器设计节点进行精确且稳定的套刻误差测量。

Archer 600:基于图像的套刻量测系统,用于高级存储器和≤10nm逻辑器件。

Archer 500LCM:基于双成像和散射技术的套刻量测模块,适用于2Xnm / 1Xnm设计节点上的一系列制程层。

Archer 500:用于2Xnm / 1Xnm设计节点的基于成像的套刻量测系统。

ATL:基于散射测量的覆盖量测系统,适用于≤7nm逻辑和高级存储器设计节点。

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ATL™

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ATL™

套刻量测系统

基于ATL100™(精确可调谐激光器)散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计,并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。

应用
产品上套刻控制,在线监控,扫描仪认证,图案化控制,芯片内测量
相关产品

Archer: 基于成像的套刻量测系统,可为≤1Xnm设计节点的开发和批量制造提供高精度套刻测量。

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SpectraShape

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SpectraShape

光学临界尺寸(CD)和形状量测系统

SpectraShape™11k尺寸量测系统用于全面表征和监控finFET的关键尺寸(CD)及其三维形状、垂直堆叠的NAND和DRAM结构以及前沿设计节点上集成电路的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的先进性突破,SpectraShape 11k可以识别关键器件的参数(关键尺寸、高k和金属栅极凹槽、侧壁角度、光刻胶高度、硬掩模高度、间距偏移)的细微变化。SpectraShape 11k配备了经过改进的工作台和全新的测量模块,可实现高产量运转,能够在线快速识别制程中的问题,从而帮助晶圆厂加快产量提升并实现稳定的生产。

应用
在线制程监测,图形控制,制程窗口扩展,制程窗口控制,高级制程控制(APC),工程分析
相关产品

AcuShape®先进的建模软件,解析来自SpectraShape系统的信号,从而有助于加快构建强大的3D形状模型的过程。

SpectraShape 10K:光学CD和形状量测系统,可测量1Xnm逻辑和高级存储IC器件的复杂功能。

SpectraShape 9000:光学CD和形状量测系统,可以测量20nm及以下设计节点的IC器件的复杂功能。

SpectraShape 8810/8660:光学CD测量和形状测量系统,可对32nm及以下设计节点的IC器件的关键结构参数进行制程监控。

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SpectraFilm

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SpectraFilm

薄膜量测系统

SpectraFilm™ F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量,从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术,信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™(光栅上的薄膜)算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量,从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高,SpectraFilm F1能够支持产率提升,并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。

应用
带隙监控,工程分析,在线工艺监控,设备监控,工艺设备匹配
相关产品

SpectraFilm LD10: SpectraFilm LD10薄膜量测系统可为16nm及以下的设计节点的各种薄膜层提供可靠的、高精度的薄膜及厚膜厚度、折射率和应力测量。

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Aleris®

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Aleris®

薄膜量测系统

Aleris® 薄膜量测系统可为32nm节点及以下节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分测量。 利用宽带光谱椭偏仪(BBSE)技术,Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案,帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。

Aleris 8330
Aleris 8330薄膜量测系统是一种低成本的解决方案,用于包括金属间电介质、光阻、底部抗反射涂层、厚氧化物和氮化物以及后段层等非关键薄膜层。

Aleris 8350
Aleris 8350是一种高性能薄膜量测系统,可以满足关键薄膜层对厚度、折射率和应力测量所需的更严格的工艺差异。 Aleris 8350薄膜厚度测量系统针对各种关键薄膜提供先进薄膜开发、表征和工艺控制,其中包括超薄扩散层、超薄栅极氧化物、先进光阻、193nm ARC层、超薄多层 堆叠以及CVD层等。

Aleris 8510
Aleris 8510将Aleris系列的薄膜厚度、成分和应力测量功能扩展到先进的High-k金属栅极(HKMG)和超薄去耦等离子体氮化(DPN)工艺层。 Aleris 8510薄膜厚度测量系统采用增强型150nm宽带光谱椭偏仪技术,针对DPN层和所有HKMG层- 从栅极到多晶硅,包括Hf和N剂量和薄膜厚度测量为工程师提供技术开发和在线监控所需的薄膜量测数据。

应用
工程分析,在线工艺监控,设备监控,工艺设备匹配

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PWG™

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PWG™

图案化的晶圆几何形貌(PWG)量测系统

PWG图案化晶圆量测平台为高级3D NAND、DRAM和逻辑器件产品制造商提供全面的晶圆平坦度和双面纳米级形貌数据。PWG5具有高分辨率和高密度采样,可以测量应力引起的晶圆形状变化、晶圆形状引起的图案套刻误差、晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面的形貌变化。凭借业界极佳的动态范围,PWG5支持在线监测与控制晶圆翘曲和应力,这些翘曲和应力是由于制造高级3D NAND器件的96+层堆叠沉积制程产生的。PWG5从源头识别制程引起的晶圆形状变化,从而能够进行晶圆的制程返工,制程设备的重新校准或与KLA的5D Analyzer®数据分析系统集成,将结果反馈到扫描仪,从而改善产品套刻精度和整体器件的良率。

单击此处下载PWG5手册。

应用
制程监控,在线监控,光刻套刻控制
相关产品

PWG3: 第三代图案化晶圆几何尺寸测量系统,支持在线监控晶圆厂范围的制程,在2X / 1Xnm设计节点上对一系列存储器和逻辑器件类型进行监控。

PWG2: 第二代图案化晶圆几何尺寸测量系统,支持在2X设计节点上在线监控晶圆厂范围的制程,针对一系列存储器和逻辑器件类型。

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Therma-Probe®

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Therma-Probe®

离子掺杂量测系统

Therma-Probe®680XP 离子注入/退火量测系统可对2Xnm / 1Xnm设计节点进行在线剂量监测。 Therma-Probe 680XP可以提供关于离子注入剂量和轮廓、注入和退火均匀性以及范围损坏的关键工艺信息。 此外,Therma-Probe 680XP系统的高分辨率微均匀性图为注入和退火工艺开发提供了指纹识别功能。

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CAPRES microRSP®

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CAPRES microRSP®

微尺寸方块电阻探测

基于传统的且已被证明的可靠的宽间距四探针技术,CAPRES A301 microRSP®提供了一个直接简单的转换:从通用的线下测试晶圆的阻值测量转向线上的产品晶圆的方块电阻特性描述。由于使用了间距低至500纳米的悬臂式顺应性微结构电极阵列,CAPRES A301 microRSP是第一个非破坏性的,可以工作在300mm产品晶圆划片槽上的阻值量测设备。全自动的A301 microRSP基本配置可以在300mm的无图形晶圆和产品晶圆上量测方块电阻,而且它还可以按照下面所定义的,为实现额外的能力和功能而配置成不同的型号。我们还可以提供microRSP 200mm晶圆设备。

应用

产品晶圆上的方块电阻控制,针对沉积、CMP 和蚀刻在线设备和制程的监控,制程设备匹配

相关产品

CAPRES A301 microHALL®: 全自动带有300mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以针对产品晶圆和切片无图形晶圆和划片槽上的量测区块,直接进行霍尔迁移率和载流子密度做测量

CAPRES microRSP-M300:半自动带有300mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,针对金属厚膜和薄膜进行方块电阻测量

CAPRES M201 microRSP®:半自动带有200mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,针对金属厚膜和薄膜进行方块电阻测量

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CAPRES CIPTech®

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CAPRES CIPTech®

电/磁性能量测

CAPRES A301 CIPTech®和CAPRES CIPTech-M300量测设备可以直接在MRAM、STTRAM、磁记录头和磁传感器等器件的无图形磁隧道结(MTJ)堆叠结构上,测量至关重要的磁阻和隧道电阻(MR和RA)。平面隧穿电流技术(CIPTech)是由IBM授权,相比以前的技术具备了前所未有的测量速度并从根本上节省了成本和时间。当该技术与CAPRES专有的纳米MEMS探测技术相结合,全自动的A301和半自动/手动的M300设备能够快速有效地针对完整的300mm晶圆或切片样品进行MTJ性能的无损测量。带有十二个微型悬臂电极的新型多点接触探头对MTJ表面进行探测,CIPT则直接从CAPRES多点测量结果中自动解析出MR和RA的值。

应用

MRAM 器件、磁记录头和传感器产品开发中电性能的直接测量,制程控制,制程设备匹配

相关产品

CAPRES M201 CIPTech®: 半自动带有200mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动CIPTech的电特性测量

CAPRES A301 CIPTech® ROW:带有全自动300mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动及直接的电性测量。该设备带有一个竖直方向的(600mT)的磁场系统

CAPRES A201 CIPTech® Horizontal:带有全自动200mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动CIPTech的电特性测量。该设备还带有一个水平方向的(150mT)的磁场系统

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MicroSense® Polar Kerr

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MicroSense® Polar Kerr

MRAM专用300mm非接触式磁特性量测系统

MRAM专用的极性科尔系统利用极性磁光克尔效应(MOKE)来表征用于开发和制造垂直MRAM器件的多层薄膜沉积后晶片的磁性能。利用非接触式全晶圆测量技术,该系统可以绘制出300mm整片晶圆的磁特性图。 该系统可在研发和量产中实现手动加载或全自动配置模式。利用MicroSense磁性量测工具专有的直接磁场控制技术,可产生具有很好分辨率的高极化磁场和低极化磁场,使得作为单个系统的该设备能够表征自由层和固定层的特性。

应用

工艺研发,表征,优化磁性薄膜特性

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MicroSense® KerrMapper

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MicroSense® KerrMapper

纵向磁光克尔效应系统

KerrMapper产品系列利用纵向磁光克尔效应(MOKE)来表征用于数据存储、MRAM和其他磁传感器上的多层磁性薄膜沉积后的晶片的磁性特性。利用非接触式全晶圆测量技术,KerrMapper S300和V300系统可以绘制出整片晶圆的磁特性图。 这两种系统可实现手动加载或完全自动化配置模式,用于研发和/或量产。KerrMapper系统使用MicroSense磁性量测工具专有的直接磁场控制技术,可产生具有很好分辨率的高极化磁场和低极化磁场,使得作为单个系统的该设备能够表征自由层和固定层的特性。  

应用

工艺研发,表征,优化磁性薄膜特性。表征多层软磁和硬磁材料的特征

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OmniMap® RS-200

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OmniMap® RS-200

薄层电阻量测系统

OmniMap® RS-200电阻率测绘系统采用了成熟的工业电阻率测绘标准,可为45nm及以下的测量提供准确可靠的薄层电阻测量。 该电阻率测绘系统提供高级自动化和改良边缘性能等功能,以满足当今300mm晶圆生产要求。

应用
工艺监控,设备监控
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CIRCL™

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CIRCL™

全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统

CIRCL™ 集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据,从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括:晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测;轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制,并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求,节省整个晶圆厂空间,缩短晶圆排队检测时间,并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。

应用
工艺监控,出厂质量控制(OQC),设备监控,背面监控,边缘良率监控
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轮廓仪产品系列

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轮廓仪产品系列

探针式与光学轮廓仪

KLA提供一系列探针式和光学轮廓仪,支持半导体IC、功率器件、LED、光子技术、MEMS、CPV太阳能、HDD和显示器制造的表面量测测量。 请访问我们的 轮廓仪网页了解更多相关信息。

应用
台阶高度、粗糙度、平面度、曲率、应力、薄膜厚度、缺陷检测等等…
相关产品

P-17

P-170

HRP®-260

MicroXAM-800

Zeta-20

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