复合半导体 | MEMS | HDD 制造

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KLA拥有全方位的检测、量测和数据分析系统的产品组合,可支持功率器件、RF通信、LED、光子技术、MEMS、CPV太阳能以及显示器的制造。高亮度LED在固态照明和汽车应用中已经是常规技术,LED设备制造商因而制定了很高很严格的成本和功能提升目标,需要更重视改进工艺控制和良率提升。 同样,先进的功率器件制造商也制订了缩短开发时间和量产提升的目标,瞄准更高的产品良率以及更低的制造成本,并已经开始采用一些解决方案,用以表征影响良率的缺陷和工艺。KLA的检测、量测和数据分析系统可帮助这些制造商控制其工艺并提升良率。

分类

8 系列

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8 系列

高产率多用途图案晶圆检测系统

8系列图案晶圆检测系统以极高的产量侦测到多种不同的缺陷类型,快速辨识和解决生产工艺的问题。从最初的产品开发到批量生产,8系列为150mm、200mm或300mm的硅及非硅衬底提供经济高效的缺陷监控。最新一代8935检测仪采用了新的光学技术以及DesignWise®和FlexPoint™精确区域检测技术,可以捕获可能导致芯片故障的关键缺陷。DefectWise® AI 技术提供快速的在线缺陷类型区分,因此改进缺陷的检测和分类。凭借这些创新,8935能够高效地捕获与良率和可靠性相关的缺陷并降低干扰率,协助前沿和传统节点的晶圆厂更快地交付产品——质量可靠且成本低廉。

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点击此处下载 SiC/GaN 半导体的 8930 资料表

主要应用

工艺监控、设备监控、出厂质量控制(OQC)

相关产品

CIRCL: 8系列检测技术也可作为CIRCL缺陷检测、量测和检视集群设备的模块使用,该设备专为包括正面、背面和边缘在内的全表面晶圆测量而设计。

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CAPRES CIPTech®

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CAPRES CIPTech®

电/磁性能量测

CAPRES A301 CIPTech®和CAPRES CIPTech-M300量测设备可以直接在MRAM、STTRAM、磁记录头和磁传感器等器件的无图形磁隧道结(MTJ)堆叠结构上,测量至关重要的磁阻和隧道电阻(MR和RA)。平面隧穿电流技术(CIPTech)是由IBM授权,相比以前的技术具备了前所未有的测量速度并从根本上节省了成本和时间。当该技术与CAPRES专有的纳米MEMS探测技术相结合,全自动的A301和半自动/手动的M300设备能够快速有效地针对完整的300mm晶圆或切片样品进行MTJ性能的无损测量。带有十二个微型悬臂电极的新型多点接触探头对MTJ表面进行探测,CIPT则直接从CAPRES多点测量结果中自动解析出MR和RA的值。

主要应用

MRAM 器件、磁记录头和传感器产品开发中电性能的直接测量,制程控制,制程设备匹配

相关产品

CAPRES M201 CIPTech®: 半自动带有200mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动CIPTech的电特性测量

CAPRES A301 CIPTech® ROW:带有全自动300mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动及直接的电性测量。该设备带有一个竖直方向的(600mT)的磁场系统

CAPRES A201 CIPTech® Horizontal:带有全自动200mm的x-y方向移动的载片台和卡盘,可以对产品晶圆的MRAM MTJ结构进行microRSP和全自动CIPTech的电特性测量。该设备还带有一个水平方向的(150mT)的磁场系统

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MicroSense® Polar Kerr

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MicroSense® Polar Kerr

MRAM专用300mm非接触式磁特性量测系统

MRAM专用的极性科尔系统利用极性磁光克尔效应(MOKE)来表征用于开发和制造垂直MRAM器件的多层薄膜沉积后晶片的磁性能。利用非接触式全晶圆测量技术,该系统可以绘制出300mm整片晶圆的磁特性图。 该系统可在研发和量产中实现手动加载或全自动配置模式。利用MicroSense磁性量测工具专有的直接磁场控制技术,可产生具有很好分辨率的高极化磁场和低极化磁场,使得作为单个系统的该设备能够表征自由层和固定层的特性。

主要应用

工艺研发,表征,优化磁性薄膜特性

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MicroSense® KerrMapper

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MicroSense® KerrMapper

纵向磁光克尔效应系统

KerrMapper产品系列利用纵向磁光克尔效应(MOKE)来表征用于数据存储、MRAM和其他磁传感器上的多层磁性薄膜沉积后的晶片的磁性特性。利用非接触式全晶圆测量技术,KerrMapper S300和V300系统可以绘制出整片晶圆的磁特性图。 这两种系统可实现手动加载或完全自动化配置模式,用于研发和/或量产。KerrMapper系统使用MicroSense磁性量测工具专有的直接磁场控制技术,可产生具有很好分辨率的高极化磁场和低极化磁场,使得作为单个系统的该设备能够表征自由层和固定层的特性。  

主要应用

工艺研发,表征,优化磁性薄膜特性。表征多层软磁和硬磁材料的特征

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Candela® 8xxx

VCSEL array 图片由 Philips Photonics 提供

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Candela® 8xxx

先进的复合半导体材料缺陷检测

Candela® 8720 复合半导体材料检测系统可实现GaN相关材料、GaAs衬底和外延的工艺监控,在功率器件,通信和RF器件以及高级LED(即将推出的microLED)生产制造中的关键缺陷具有广泛应用。 凭借专利光学设计和检测技术,Candela 8720能够对亚微米级别的缺陷进行检测和分类对生产中限制良率的缺陷进行监控。

主要应用
工艺监控,设备监控,质量控制
相关产品

Candela® 8420: 复合半导体材料的表面检测。

Candela® 8520: SiC半导体材料缺陷检测。

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Candela® CS920

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Candela® CS920

表面缺陷检测和光致发光量测的集成解决方案

服务于功率器件制造商的Candela® CS920 SiC基板和外延(epi)晶圆表面缺陷检测系统可以提供高灵敏度的全表面缺陷检测和精确的工艺反馈。 该外延晶圆表面缺陷检测系统有助于帮助工厂改善SiC基板质量,并优化SiC外延和硅基氮化镓工艺中的外延生长良率。 CS920能够捕获对良率至关重要的缺陷,包括亚表面基面位错和各种外延堆垛层错,该系统将表面缺陷检测和光致发光技术集成到同一个检测平台,可显著提升良率并缩短寻找问题根源的时间。

主要应用
工艺监控,设备监控,入厂质量控制,出厂质量控制
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Candela® 71xx

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Candela® 71xx

硬盘驱动器介质和基板缺陷检测和分类系统

用于硬盘驱动器制造的Candela® 71xx系列先进介质和基板缺陷检测和分类系统有助于最大限度地提高良率并降低硬盘检测成本。 双光路配置可以对关键亚微米缺陷根据其独特的缺陷特征进行分类,其中包括微坑、凸块、颗粒和隐藏的缺陷。 Candela 7110的配置支持手动基板加载和检测,而Candela 7140则提供全自动晶舟盒到晶舟盒的基板加载。

采用高灵敏度(HS)设置选项可以提高裸玻璃和金属基板检测的灵敏度和捕获率。

主要应用
硬盘驱动器工艺和设备监控
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Candela® 63xx

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Candela® 63xx

硬盘驱动器介质和基板形貌测量和缺陷检测系统

Candela® 63xx 采用双激光检测系统,能够对硬盘驱动器基板和成品介质进行表面检测。 其独特的多通道光学设计可在光滑的金属和玻璃基板表面进行粗糙度和波纹度量测。该平台能够自动检测诸如颗粒和划痕之类的缺陷并对其进行分类。 Candela 6310是一款适用于实验室和小批量生产的手动系统,而Candela 6340则是一款适用于批量生产环境的全自动盒带至盒带系统。

主要应用
硬盘驱动器工艺和设备监测
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MicroSense® CSW1

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MicroSense® CSW1

150mm/200mm 晶圆几何系统

MicroSense® CSW1(以前称为 UltraMap UMA-C200)是裸晶圆几何测量系统,晶圆制造商将其用于认证锯切、抛光和外延的150mm和200mm硅和SiC衬底以及其他包括GaN、GaAs、蓝宝石和外延工艺等在内的材料。作为可容纳两个晶盒的桥接设备,CSW1可以同时容纳150和200mm晶圆。该设备采用专利的双探针和纳米级别分辨率的非接触式电容传感器,能够实现高产量的精准自动几何测量。系统输出包括厚度、平整度、形状、局部平整度和晶边指标的高密度2D和3D晶圆测绘图。

主要应用

晶圆工艺监控、出厂晶圆品质控制 (OQC)

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MicroSense C200L/M:

适合抛光硅和外延晶圆制造商的200mm晶圆测量设备

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MicroSense STR1:

用于硅、SiC、GaN、GaAs、蓝宝石和外延工艺的150/200mm桥接设备,包括2D应力选项

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MicroSense BP1:

用于锯切或抛光的晶背减薄研磨晶圆的150/200mm 桥接设备,适用与硅、SiC、GaN、GaAs、蓝宝石等晶圆

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MicroSense® BP1

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MicroSense® BP1

150mm 和 200mm 晶圆几何系统

MicroSense® BP1(以前称为UltraMap UMA-200-BP)是针对裸晶圆的几何测量系统,晶圆制造商使用该系统对锯切、抛光和外延硅与SiC的衬底以及GaN、GaAs、蓝宝石和外延等工艺进行认证。晶圆和衬底可以是圆形或方形,尺寸可达200mm。该系统提供多种晶圆支架以供选择。BP1采用两个专利的非接触式高分辨率自动定位背压探头精确地测量晶圆厚度、平整度和形状。BP1是一个极其灵活的系统,可以测量各种晶圆厚度和任何晶圆材料。晶圆表面光洁度不影响测量——该系统可以测量锯切、研磨或抛光的晶圆。

主要应用

晶圆工艺监控、出厂晶圆品质控制 (OQC)

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适合抛光硅和外延片制造商的200mm晶圆测量设备

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用于硅、SiC、GaN、GaAs、蓝宝石和外延工艺的 150/200mm 桥接设备,包括2D应力选项

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MicroSense CSW1:

用于硅、SiC、GaN、GaAs(在蓝宝石、SiC或硅上)、Ge和外延工艺的150/200mm桥接设备

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MicroSense® DiskMapper H8

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MicroSense® DiskMapper H8

HAMR/TAR介质无损、非接触式双面量测设备

DiskMapper H8系统可以在沉积工艺后立即快速确定热辅助磁记录(HAMR),也称为热辅助记录(TAR)磁盘垂直记录层的均匀性,这是磁盘驱动器生产的一个重要因素。利用定制的8特斯拉双极高速超导磁体,可以在不到3分钟内测量磁盘任何位置的磁滞回线。DiskMapper H8系统采用全盒式自动化和双面测量功能,是兼顾研发和生产的设备。

主要应用

工艺研发,表征,优化HAMR/TAR介质磁化特性

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ZetaScan

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ZetaScan

针对大型和不规则形状基板的高产量缺陷检测

ZetaScan系列高产量缺陷检测和分类系统在显示器和太阳能行业中被应用于玻璃基板、平板和其他基板。 ZetaScan系列采用小型激光扫描点和四个同步检测通道,可以捕获各种基板上的关键缺陷并进行分类可适用的材质表面包括粗打磨、抛光、未抛光、不透明和透明基板以及薄玻璃或接合晶圆。 ZetaScan系列缺陷检测仪采用多模式的方法进行检测,可以同时提供高产量和高缺陷灵敏度。

主要应用
玻璃晶圆的缺陷检测,晶圆上的粗糙薄膜,磁盘基板/介质
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SensArray® Process Probe™ 2070

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SensArray® Process Probe™ 2070

原位实时温度监测系统

Process Probe™ 2070仪表玻璃砖为平板工艺应用提供了一个经济高效且灵活的解决方案,可以可靠地、实时地表征玻璃温度曲线。 Process Probe 2070采用许多小型仪表玻璃砖而不是单个大型玻璃平板,可以很轻松地将热电偶传感器放置在处理腔内基座上的所需位置。 这种灵活的产品设计简化了LCD和其他大型玻璃平板应用的温度测量,可以实现高精度的工艺认证和优化。

主要应用
工艺开发,工艺认证,工艺设备认证
平板玻璃工艺|0-600℃下
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Klarity®

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Klarity®

自动化缺陷和良率数据分析

Klarity® Defect 自动化缺陷分析和数据管理系统通过识别实时偏移可以协助晶圆厂缩短良率提升周期。 Klarity Defect所采用的Klarity SSA(空间特征分析)分析模块可以提供缺陷特征的自动化检测和分类,并显示工艺问题。 Klarity ACE XP 的高级良率分析系统可帮助晶圆厂获取、保留并且共享良率提升经验,从而在晶圆厂内外协同良率提升。 Klarity 系统使用直观的决策流分析,帮助工程师轻松创建定制分析,支持批次处置、抽样检查、缺陷源分析、 SPC 设置和管理以及偏移通知等应用。 Klarity Defect, Klarity SSA 和 Klarity ACE XP 在全厂范围内构建良率解决方案,自动精简缺陷检测、分类和检查的数据,重点显示与问题根源和数据分析相关的信息。 Klarity 数据让 IC, 封装, 复合半导体和 HDD 制造商可以尽早采取纠正措施,从而加速良率提升和产品上市。

主要应用

缺陷数据分析,晶圆处置,工艺和设备的偏移识别,空间特征分析,良率分析,良率预测

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轮廓仪产品系列

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轮廓仪产品系列

探针式与光学轮廓仪

KLA提供一系列探针式和光学轮廓仪,支持半导体IC、功率器件、LED、光子技术、MEMS、CPV太阳能、HDD和显示器制造的表面量测测量。 请访问我们的 轮廓仪网页了解更多相关信息。

主要应用
台阶高度、粗糙度、平面度、曲率、应力、薄膜厚度、缺陷检测等等…
相关产品

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纳米力学测试仪产品系列

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纳米力学测试仪产品系列

针对复合半导体制造的纳米力学测试仪

KLA 的纳米力学测试仪可以为半导体和MEMS行业提供微米和纳米级别的力学测试。 请访问我们的 纳米力学测试仪网页了解更多详情。

主要应用
测量半导体、薄膜、MEMS结构的硬度和杨氏模量
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