屈折率GaN, Gallium Nitride
窒化ガリウム(GaN)は2元III-V直接禁止帯半導体で、1990年代以降主にまぶしい発光ダイオードに用いられています。その化合物はウルツ鋼結晶構造を持つ非常に堅い材料です。
典型的なサンプルについてGaN波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。2.37966および0. Below are files of complete refractive index and extinction coefficients. If the file is not available for download, you can request our proprietary file by clicking "Request".
Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183
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