窒化ガリウム(GaN)は2元III-V直接禁止帯半導体で、1990年代以降主にまぶしい発光ダイオードに用いられています。その化合物はウルツ鋼結晶構造を持つ非常に堅い材料です。

典型的なサンプルについてGaN波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。2.37966および0。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある場合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請求いただけます。

Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

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