ガリウムヒ素(GaAs) はガリウムとヒ素元素の混合物で、III-V族半導体で、電子レンジの周波数集積回路、モノリシック電子レンジ集積回路、赤外線発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池や光学窓などの機器の製造に用いられます。

典型的なサンプルについてGaAs波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。3.85744および0.1983491. Below are files of complete refractive index and extinction coefficients. If the file is not available for download, you can request our proprietary file by clicking "Request".

Refractive Index Reference - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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