Surfscan^®

비패턴 웨이퍼 결함 검사 시스템

Surfscan^® SP7^XP 비패턴 웨이퍼 검사 시스템은 최첨단 로직 및 메모리 소자의 성능과 신뢰성에 영향을 미치는 결함 및 표면 품질 문제를 식별합니다. EUV 리소그래피에 사용되는 요소를 포함해 도구, 공정, 소재를 인증하고 모니터링하여 IC, OEM, 소재, 기판 제조를 지원합니다. DUV 레이저와 최적화된 검사 모드를 사용하는 Surfscan SP7^XP는 고급 노드 R&D를 위한 최고의 민감도와 대량 상산을 가능하게 하는 처리량을 제공합니다. 위상차 채널(PCC)과 일반 조명(NI)을 포함하는 보완 감지 모드는 베어 웨이퍼, 부드럽고 거친 필름, 깨지기 쉬운 레지스트, 리소그래피 스택의 고유 결함 유형을 감지합니다. 혁신적인 기계 학습 알고리즘을 사용하는 이미지 기반 결함 분류(IBC)는 더 빠른 근본 원인 파악을 가능하게 하는 반면, Z7™ 분류 엔진은 고유한 3D NAND 및 후막 응용 분야를 가능하게 합니다.

Surfscan^® SP Ax

비패턴 웨이퍼 결함 검사 시스템

Surfscan^® SP A2 및 Surfscan^® SP A3 비패턴 웨이퍼 검사 시스템은 자동차, IoT, 5G, 가전 제품, 산업(군사, 항공 우주, 의료) 응용 분야용으로 제조된 반도체 칩의 성능과 신뢰성에 영향을 미치는 결함과 웨이퍼 표면 품질 문제를 식별합니다. 이러한 검사 시스템은 설비, 공정, 재료를 검증하고 모니터링하여 소자, OEM, 소재, 기판 제조를 지원합니다. DUV 레이저와 최적화된 검사 모드를 사용하는 Surfscan SP Ax 시스템은 반도체 공장의 결함 감소 전략을 지원하기 위해 필요한 감도를 제공합니다. 기본 암시야 및 선택사양 명시야 검사 모드가 동시에 실행되므로 중요한 수율과 잠재적 신뢰성 결함 유형을 검출하고 분류할 수 있습니다. 업계 최고의 Surfscan 플랫폼을 기반으로 구축된 Surfscan SP A2/A3 검사기는 다양한 응용 분야의 비용 및 성능 목표를 충족시키기 위해 구성 가능하고 유연한 특징이 있습니다. 150mm, 200mm, 300mm 웨이퍼 크기에 걸쳐 실리콘 또는 넓은 밴드갭(SiC, GaN 등) 소재를 기반으로한 기판 및 소자 제조를 지원합니다.

eDR7xxx™

전자 빔 웨이퍼 결함 리뷰 및 분류 시스템

eDR7380™ 전자 빔(e-beam) 웨이퍼 결함 리뷰 및 웨이퍼 분류 시스템은 결함의 고해상도 이미지를 포착하여 웨이퍼의 결함 군집을 정확하게 보여 줍니다. 광범위한 전자 광학 및 전용 렌즈 내 검출기를 갖춘 eDR7380은 섬세 EUV 리소그래피 레이어, 종횡비가 높은 트렌치 레이어, 전압 콘트라스트 레이어 등 공정 단계 전반에 걸친 결함 시각화를 지원합니다. 고유한 Simul-6™ 기술은 정확한 결함 원인 파악과 더 빠른 공정 이탈 감지를 위해 하나의 테스트에서 완전한 DOI 파레토를 생성합니다. 광대역 광학 패턴 웨이퍼 검사기용 IAS™이나 베어 웨이퍼 검사기용 OptiSens™과 동일한 연결 기능을 갖춘 eDR7380은 IC 및 웨이퍼 제조 중 더 빠른 수율 학습을 위해 KLA 검사기에 대한 고유한 연결을 제공합니다.

eDR^®은 KLA Corporation의 등록 상표입니다.

WaferSight™

가공 전 웨이퍼 지오메트리 계측 시스템

WaferSight™ 2+ 가공 전 웨이퍼 지오메트리 계측 시스템은 웨이퍼 제조 업체의 광택 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼와 가공 기판 및 기타 고급 기판을 검증합니다. WaferSight 2+는 웨이퍼 평탄도, 양면 나노 지형학, 고해상도 에지 롤오프 데이터를 생성함으로써, 웨이퍼 제조 업체가 최고 품질 기판의 대량 생산을 보장할 수 있도록 하는 데이터를 생성합니다.

MicroSense^® Wafer Series

가공 전 웨이퍼 기하학 계측 시스템

MicroSense^® 가공 전 웨이퍼 기하학 계측 시스템은 웨이퍼 제조업체가 다양한 재료, 크기 및 모양에 걸쳐 기판을 검증하는 데 사용됩니다. MicroSense 시스템은 특허받은 비접촉식 센서 기술을 사용하여 높은 처리량으로 정밀하고 정확한 자동화된 기하학 측정을 생성합니다. 이 시스템은 두께, 만곡/휨, 평탄도 등의 정량값을 생성하여 웨이퍼 제조업체가 공정을 검증하고 최적화하여 고품질 기판의 대량 생산을 보장합니다.

Candela^® 8xxx

화합물 반도체 소재와 SiC 및 GaN 기판에 대한 고급 검사

Candela^® 8720 화합물 반도체 소재 표면 검사 시스템으로 전력 소자, 통신 및 RF 장치, 고급 LED 및 마이크로 LED 생산을 위한 GaN 관련 재료, GaAs 기판 및 epi 공정 제어를 수행할 수 있습니다. 독점 기술을 활용하여 수율 제한, 서브미크론 결함을 감지하고 분류하여 생산 라인 모니터링을 지원합니다. Candela^® 8520 결함 검사 시스템은 자동차나 기타 응용 분야에서의 전력 소자에 자주 사용되는 SiC 및 GaN 기판의 고급 특성화를 실현하기 위해 설계되었습니다. 통합된 표면 산란 검사 및 광발광 검사 기술을 활용하여 트라이앵글, 캐럿, 적층 결함, 기저면 전위 등의 다양한 미션 크리티컬 지형 및 결정학적 결함을 감지합니다. Candela 8xxx 시스템은 기판 제조 업체에 품질 및 수율 개선과 에피택셜 성장 공정 최적화를 지원합니다.

SensArray^® Automation

현장 온도 측정 자동화 패키지

SensArray^® Automation 패키지는 공정 설비 챔버의 온도 측정 자료를 자동으로 빠르게 수집하는 동시에 반도체공장 시운전을 지원하는 반자동 기능도 제공합니다. SensArray Automation 패키지에는 모든 300mm 무선 SensArray 제품과 호환되는 AS1000 자동화 기지 장치, 오버헤드 트랙 (OHT) 호환 FOUP, 시스템 자동화 컨트롤러 및 사무용 PC 소프트웨어 사용권한 사용 갯수 구성 요소가 포함되어 있습니다. SensArray FOUP는 유연하게 반도체공장에 적용하기 위해 두 개의 개별 SensArray 제품을 지원할 수 있으며, SPC 차트로 직접 데이터 전달을 통해 다른 생산 FOUP와 동일한 방식으로 처리될 수 있습니다. SensArray Automation는 생산성 향상을 통해 공정 설비의 가용성, 엔지니어링 자원의 보다 효율적인 사용, 반도체공장의 MES 데이터베이스에 있는 중앙 집중식 자료 저장을 향상시킵니다.

Smartwafer™

웨이퍼 취급 모니터

Smartwafer2™ 취급 모니터는 공정 장비를 통해 작동하며 경로를 따라 진동 및 가속도를 기록합니다. 기록 과정을 완료한 후 자료는 외부 판독소를 통해 PC로 다운로드됩니다. 자료는 장비에서 일어나는 동작의 순서와 동기화되며 과거의 양호한 특징과 비교하게 됩니다. 비정상적인 신호는 웨이퍼에 입자, 결함 또는 스크래치를 유발할 수 있는 잘못된 기계적 구성 요소 또는 정렬을 나타내고 정확한 위치를 알려줍니다. 표준 300mm 실리콘 웨이퍼는 표준 공정 웨이퍼의 동작과 밀접하게 일치하기 위해 사용되어 웨이퍼 취급 시스템을 통해 동일한 기계적 레시피를 실행할 수 있습니다. 전자 회로는 실리콘 접착제로 등각으로 코팅되어 Smartwafer2를 보호 및 방수합니다. Automation Loadport는 300mm 자동화된 반도체 공장 용으로 설계되었으며 다른 일상적으로 진행되는 모니터와 마찬가지로 생산 방식으로 Smartwafer2를 사용할 수 있습니다. Automation Loadport는 AMHS/OHV 및 호스트 연결에 필요한 E84 및 기타 SEMI 표준을 비롯한 모든 SEMI 표준을 충족합니다.

EWG Wafer™

웨이퍼 취급 모니터

EWG Wafer™ 취급 모니터는 회전 받침대에서 웨이퍼의 편심도와 흔들림을 측정합니다. 이는 이러한 측정을 하는 유일한 공정 중 방법입니다. 현재 이러한 변수를 확인하기 위해 사용되는 일반적인 방법은 설비 챔버를 열고 기계적인 측정기를 사용하는 시간이 많이 걸리는 과정을 포함합니다. 웨이퍼 중앙에 XY 가속도계 1개가 배치되고 웨이퍼 가장자리에 가까운 6개 지점에 Z 가속도계가 배치되면 EWG Wafer는 설비 개방을 방지하고 호환되는 Automation Loadport를 사용하여 완전히 자동화될 수 있습니다. Automation Loadport는 300mm 자동화된 반도체 공장 용으로 설계되었으며 다른 일상적으로 하는 모니터와 마찬가지로 생산 방식으로 EWG Wafer를 사용할 수 있습니다. Automation Loadport는 AMHS/OHV 및 호스트 연결에 필요한 E84 및 기타 SEMI 표준을 비롯한 모든 SEMI 표준을 충족합니다.

RH Wafer™

웨이퍼 취급 모니터

RH Wafer™ 취급 모니터는 공정 설비 전체를 이동하며 여러 위치에서 상대 습도를 측정합니다. 상대 습도 센서 및 Smartwafer2™ 유형 회로는 정화된 SmartFOUP™에 있는 300mm 베어 실리콘 웨이퍼에 장착됩니다. 그런 다음 SmartFOUP는 공정 설비 N₂ 로 정화된 로드포트에 놓여지고, FOUP의 상대 습도를 측정하여 N₂정화 기능을 모니터링합니다. RH Wafer와 정화된 SmartFOUP는 완전 자동화된 모니터링을 위해 Automation Loadport 및 분석 소프트웨어와 완벽하게 호환됩니다. Automation Loadport는 300mm 자동화된 반도체 공장 용으로 설계되었으며 다른 일상적으로 하는 모니터와 마찬가지로 생산 방식으로 RH Wafer를 사용할 수 있습니다. Automation Loadport는 AMHS/OHV 및 호스트 연결에 필요한 E84 및 기타 SEMI 표준을 비롯한 모든 SEMI 표준을 충족합니다. 분석 소프트웨어는 통계적 공정 제어 (SPC) 도구를 사용하여 상대 습도 불규칙성 또는 추세를 탐지합니다.

Integral Implant i3

원래 위치 안에서 이온 주입 웨이퍼 온 (15° ~ 130°C) 측정 시스템

300mm 및 200mm 구성으로 제공되는 Integral Implant i3 원래 위치 안에서 웨이퍼 온도 측정 시스템은 이온 주입 공정을 위한 웨이퍼 온도 모니터링을 지원합니다. Integral Implant i3 무선 웨이퍼는 높은 정확도의 시간 및 공간 웨이퍼 온도 자료를 생성하므로 이온 주입 엔지니어가 이온 주입 단위 면적 당 입자 수 및 균일성에 영향을 미치는 열 변동을 특성화하고 모니터링하며 이온 주입 공정 검증 및 설비 일치를 개선할 수 있습니다.

Process Probe™ 1530/1535

현장 웨이퍼 온도 모니터링 시스템

Process Probe™ 1530 및 1535 계측 웨이퍼는 냉간벽, RTP, 스퍼터링, CVD, 플라즈마 스트리퍼와 에피택셜 반응기를 포함한 광범위한 공정 중 현장 온도를 모니터링하는 데 사용됩니다. Process Probe 1530 및 1535는 공정 사이클의 각 중요한 단계 동안 웨이퍼 온도를 실시간으로 직접 측정합니다. 이러한 포괄적인 온도 데이터를 통해 공정 엔지니어는 공정 조건을 특성화하고 미세 조정하여 공정 장비 성능, 웨이퍼 품질 및 수율을 개선할 수 있습니다.

Process Probe™ 1630

현장 웨이퍼 온도 모니터링 시스템

Process Probe™ 1630 계측 웨이퍼를 사용하면 전단 대기 및 벨트 CVD 시스템과 후단 웨이퍼 솔더 범핑 리플로우 오븐에 대한 웨이퍼 온도 프로파일을 정확한 현장 특성화할 수 있습니다. Process Probe 1630을 사용하여 공정 엔지니어는 모서리 대 중심 온도 프로파일을 결정하여 히터 영역 설정 점을 조정하고 증착 온도에서의 드리프트를 측정하여 히터 및 벨트의 산화물 축적에 따른 열 전달 변화를 조정할 수 있습니다.

Process Probe™ 1730

현장 웨이퍼 온도 모니터링 시스템

Process Probe™ 1730 계측 웨이퍼를 사용하면 감광재 트랙 시스템, 온도 제어 웨이퍼 척 시스템, 오븐 응용 분야 및 레지스트 베이크, 폴리이미드 및 SOG 응용 분야에서 웨이퍼 온도 프로파일을 정확한 현장 특성화할 수 있습니다. Process Probe 1730은 엔지니어가 공정 조건을 특성화하고 미세 조정하여 공정 장비 성능을 개선하여 수율 향상을 지원합니다.

Process Probe™ 1840/1850

In Situ 웨이퍼 온도 모니터링 시스템

Process Probe™ 1840 및 1850 계측 웨이퍼는 고정밀 실시간 열판 온도 측정을 제공하여, 감광재 트랙 시스템 및 웨이퍼 프로버 등의 공정을 지원합니다. Process Probe 1840 및 1850은 접촉온도 센서 또는 정밀도가 낮은 공정 모니터에 의존하지 않고 웨이퍼 온도 안전성과 산포를 직접 측정할 수 있도록 합니다. Litho 엔지니어들은 Process Probe 1840 및 1850을 활용하여 감광재 베이크 온도 산포를 미세 조정하고 특성화할 수 있으며 이를 통해 첨단 Litho 공정이 높은 수율에 도달하기 위해 필요한 온도 정확도를 충족하도록 합니다.