窒化アルミニウム (AlN) はアルミニウムの窒化物で、そのウルツ鉱局面 (w-AlN) は幅広いバンドギャップ(6.2 eV)の半導体材料で、深紫外線オプトエレクトロニクスのためのアプリケーション用途の可能性があります。

典型的なサンプルについてAlN波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。2.16468および0. Below are files of complete refractive index and extinction coefficients. If the file is not available for download, you can request our proprietary file by clicking "Request".

Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 150

正確性において保証しません。自己責任でご利用下さい。